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http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11577Affichage complet
| Élément Dublin Core | Valeur | Langue |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Benzineb, Nour el Houda | - |
| dc.date.accessioned | 2023-05-16T08:04:35Z | - |
| dc.date.available | 2023-05-16T08:04:35Z | - |
| dc.date.issued | 2016-06 | - |
| dc.identifier.uri | http://dspace.univ-tiaret.dz:80/handle/123456789/11577 | - |
| dc.description.abstract | Une décharge luminescente peut fonctionner en mode continu (dc), RF ou en mode impulsionel à partir d’une décharge continue ou RF. La décharge luminescente continue est principalement utilisée pour l’analyse directe de solides conducteurs (métaux, …..) et semi-conducteurs avec, typiquement, une tension de 1 kV et un courant de 10 mA, Dans ce travaille on étudie les divers paramètres qui influent la fabrication des couches minces de semi-conducteurs utilisées largement ces dernières années dans l’industrie pour la fabrication de divers composantes des microordinateurs et spécialement les circuits intégrées. Une simulation à l’aide d’un logiciel très développé qui s’appelle SRIM (Simulation and range of ions in mater) avec la variation de tension et pour diffèrent matériaux en semi-conducteurs a pour but d’avoir l’influence de ces 2 paramètres sur le processus de la pulvérisation cathodique dans les plasmas et en fin sur la microstructure de ces couches minces. | en_US |
| dc.language.iso | fr | en_US |
| dc.publisher | Université Ibn Khaldoun | en_US |
| dc.subject | plasma | en_US |
| dc.subject | décharge électrique | en_US |
| dc.subject | pulvérisation cathodique | en_US |
| dc.subject | Caractéristiques des semi-conducteurs | en_US |
| dc.title | La simulation des décharges luminescentes dans la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs | en_US |
| dc.type | Thesis | en_US |
| Collection(s) : | Master | |
Fichier(s) constituant ce document :
| Fichier | Description | Taille | Format | |
|---|---|---|---|---|
| page de garde.pdf | 177,35 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| 00 introduction de la these.pdf | 166,31 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| chapitre-1.pdf | 604,73 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| chapitr-2.pdf | 640,99 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| chapitre-3.pdf | 746,56 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| conclution (2).pdf | 241,13 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| RESUME.pdf | 286,28 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| sommaire.pdf | 221,89 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir | |
| reference.pdf | 265,68 kB | Adobe PDF | Voir/Ouvrir |
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